Intel pracuje nad bezpołączeniowym tranzystorem
22 września 2010, 11:29Intel podpisał opiewającą na 1,5 miliona dolarów umowę o współpracy badawczej z Tyndall National Institute znajdującym się na irlandzkim University of Cork. Umowa przewiduje wspólne prace nad stworzonym przez Irlandczyków pierwszym tranzystorem bezpołączeniowym.
Piezotroniczny tranzystor
3 września 2010, 10:33Piezotroniczne tranzystory - najnowsze osiągnięcie zespołu profesora Zhong Lin Wanga z Georgia Institute of Technology - wykorzystują zjawiska piezoelektryczne do przeprowadzania operacji logicznych.
Prawo Kirchhoffa do poprawki!
14 maja 2010, 17:41Podstawowe prawa fizyki obowiązują od tak dawna i są potwierdzone tyloma dowodami, że uważamy je za niewzruszone. Tymczasem okazuje się, że czasem nie opisują poprawnie wszystkiego i trzeba je sformułować na nowo. Jak prawo Kirchhoffa.
Memrystory bardziej przydatne niż sądzono
9 kwietnia 2010, 11:42Badacze z HP ogłosili, że memrystor, opracowany niedawno czwarty (po oporniku, kondensatorze i cewce) podstawowy obwód pasywny, ma większe możliwości niż dotychczas przypuszczano. Okazało się bowiem, że memrystor jest nie tylko w stanie przechowywać dane, ale również przeprowadzać obliczenia.
Wzór z komórki
26 lutego 2010, 12:15Pomimo gwałtownego rozwoju techniki tworzone przez nas urządzenia są pod wieloma względami niezwykle prymitywne w porównaniu z tym, co stworzyła natura. Dlatego też Rahul Sarpeshkar z MIT-u próbuje stworzyć podstawy projektowe dla przyszłych elektronicznych obwodów scalonych wzorując się na komórkach ludzkiego ciała.
Rekordowo szybki tranzystor grafenowy
8 lutego 2010, 11:14Badacze IBM-a zaprezentowali najszybszy tranzystor grafenowy na świecie. Urządzenie pracuje z częstotliwością 100 GHz i powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Appplications (CERA), którego zadaniem jest opracowanie urządzenie komunikacyjnych kolejnej generacji.
Grafenowy tranzystor niemal jak CMOS
28 stycznia 2010, 12:35Specjaliści z IBM-a otworzyli pasmo wzbronione w tranzystorze polowym (FET) wykonanym z grafenu, pokonując tym samym jedną z ostatnich przeszkód na drodze do skomercjalizowania grafenowej elektroniki. Ich grafenowy FET, jak zapewniają, będzie w przyszłości mógł konkurować z tranzystorami CMOS.
Powstał 100-milimetrowy plaster grafenowy
25 stycznia 2010, 13:16Naukowcy z Electro-Optics Center (EOC) Material Division na Pennsylvania State University stworzyli 100-milimetrowy plaster grafenowy. To niezwykle ważny krok w kierunku wykorzystania grafenu do budowy urządzeń elektronicznych.
Lepsze tranzystory z nanokabli
6 stycznia 2010, 18:07Jak wiemy, miniaturyzacja krzemowych tranzystorów ma swoje granice i współczesna technologia właśnie się do nich zbliża. Dlatego też poszukiwane są alternatywne sposoby na zapewnienie ciągłego rozwoju komputerów. Jednym z nich jest pomysł na wykorzystanie krzemowych nanokabli.
Tranzystor z molekuły
27 grudnia 2009, 15:43Po raz pierwszy w historii udało się zbudować tranzystor złożony z jednej molekuły. Dokonali tego uczeni z Yale University oraz Instytutu Nauki i Technologii Gwangju z Korei Południowej.
